| 发明名称 | 减小晶片弧化的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于减小在蚀刻工艺期间的晶片损伤的方法。在许多实施例的其中之一中，该方法包括对至少一个蚀刻工艺中的每一个分配偏压，并在至少一个蚀刻工艺中的其中之一开始之前产生所分配的偏压。该方法还包括在至少一个蚀刻工艺的其中之一开始之前将所分配的偏压施加于晶片卡盘。所分配的偏压电平减小晶片弧化。 | ||
| 申请公布号 | CN100444328C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN03825479.4 | 申请日期 | 2003.09.24 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | A·菲舍尔 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/68(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1、一种用于减小在蚀刻工艺期间的晶片损伤的方法，包括：从包括至少一个偏压电平和至少一个蚀刻工艺之间的关联的配方偏置表分配偏压；在该至少一个蚀刻工艺的其中之一开始之前产生所分配的偏压；在该至少一个蚀刻工艺的开始之前将所分配的偏压施加于静电卡盘；执行该多个蚀刻工艺中该特定的蚀刻工艺；其中所分配的偏压电平减小了晶片表面与晶片衬底之间的电压电势差使得在晶片的电介质内的相邻金属结构之间的电压差小于当该多个蚀刻工艺中该特定的蚀刻工艺正被执行时相邻金属结构之间的该电介质的电击穿强度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||