发明名称 | 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用 | ||
摘要 | 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法,特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成,且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜,本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺,将单晶锗薄膜转移到绝缘层上,并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅,从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延,实现与III-V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工,制备常规器件与电路,有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构,在高速高性能CMOS器件,光电集成电路,高速光探测器等方面有重要的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN101325154A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
申请号 | CN200810040645.2 | 申请日期 | 2008.07.16 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司 | 发明人 | 马小波;刘卫丽;宋志棠;李炜;林成鲁 |
分类号 | H01L21/18(2006.01) | 主分类号 | H01L21/18(2006.01) |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
主权项 | 1.一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构,包括有源层和绝缘埋层,其特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成,且单晶硅的晶向由衬底硅决定。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |