| 发明名称 | 用于制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于制造半导体装置的方法。该方法包括：在基片上形成装置隔离层；在基片上顺序形成防反射涂层和光刻胶层；图案化防反射涂层和光刻胶层以暴露在其中形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的有源区的基片区；通过添加氧气，以高于所述装置隔离层的蚀刻速率的蚀刻速率，以预定厚度使所暴露的基片区凹陷，其中图案化步骤和凹陷步骤在同一室中进行。 | ||
| 申请公布号 | CN100444337C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200510097448.0 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 南基元;金宰永 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：在基片上形成装置隔离层；在所述基片上顺序形成防反射涂层和光刻胶层；图案化所述防反射涂层和所述光刻胶层以暴露在其中形成金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的有源区的基片区；以及通过添加氧气，以高于所述装置隔离层的蚀刻速率的蚀刻速率，以预定厚度使所暴露的基片区凹陷，其中图案化步骤和凹陷步骤在同一室中进行。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||