| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，在该半导体装置中，防止起因于设置为岛状的半导体层的端部的缺陷，而提高可靠性。本发明的半导体装置的制造方法包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成岛状半导体层；进行第一变质处理，在所述岛状半导体层的表面形成第一绝缘膜；去掉所述第一绝缘膜；对去掉了所述第一绝缘膜的所述岛状半导体层进行第二变质处理，在该岛状半导体层的表面形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成导电层，其中通过所述第一变质处理和所述第二变质处理，使所述岛状半导体层的上端部具有圆度。 | ||
| 申请公布号 | CN101325162A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200810125110.5 | 申请日期 | 2008.06.11 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 冈本悟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成岛状半导体层；通过进行第一变质处理，在所述岛状半导体层的表面形成第一绝缘膜；去掉所述第一绝缘膜；通过对去掉了所述第一绝缘膜的所述岛状半导体层进行第二变质处理，在该岛状半导体层的表面形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成导电层，其中，通过所述第一变质处理和所述第二变质处理，使所述岛状半导体层的上端部具有圆度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||