发明名称 凸块下金属层结构及应用其之晶圆结构与晶圆结构之形成方法
摘要 一种凸块下金属层结构及应用其之晶圆结构与晶圆结构之形成方法。凸块下金属层结构包括一黏附层、一阻障层及一湿润层。黏附层设置于一晶圆之一接垫上,阻障层设置于黏附层上,湿润层设置于阻障层上。黏附层之材质为含硼之镍,阻障层之材质为钴,湿润层之材质为金。
申请公布号 TW200849428 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW096121429 申请日期 2007.06.13
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 余瑞益
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 林素华
主权项
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号