在三维记忆体中之扩散阻障与用于执行此阻障之方法

摘要

一个或多个扩散阻障在三维或3D记忆单元中的一个或多个导体周围形成。该等扩散阻障允许该等导体包括非常低电阻率的材料，例如铜，其不易向外扩散进入周围区域，特别是在升高的加工温度下。藉由减轻该等导体尺寸缩小时所发生的电阻增加，使用较低电阻率的材料允许元件尺寸缩小。如此，在给定的区域内可制造更多的单元，因此提高所得记忆阵列的密度和储存容量。