具有缩减长度之汲极和源极区及与其毗邻之受力介电材料的ＳＯＩ电晶体

摘要

藉由再组构形成于SOI电晶体之汲极和源极中之凹处中之材料，在形成个别金属矽化物区之前，该凹处之深度可向下增加至埋置绝缘层，由此当对应之电晶体元件被高度受力之介电材料所覆盖时，可减少串联电阻并增强应力转移。可根据高温氢气烘烤而完成此材料之重新分布(material redistribution)。