| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置，其包括一场效电晶体，该场效电晶体包括：一半导体基板，其具有一通道形成区域；一绝缘膜，其于该半导体基板上形成；一闸极电极沟渠，其于该绝缘膜中形成；一闸极绝缘膜，其于该闸极电极沟渠之底部形成；一闸极电极，其于该闸极绝缘膜上以一层填充该闸极电极沟渠而形成；偏移间隔物，其由氧化矽或含硼氮化矽组成并形成为该绝缘膜之一部分以构成该闸极电极沟渠之侧壁；侧壁间隔物，其在背离该闸极电极之侧上于该等偏移间隔物之两侧上形成为该绝缘膜之一部分；以及源极-汲极区域，其具有一延伸区域并于该半导体基板中且于至少该等偏移间隔物与该等侧壁间隔物之下形成。 |
