制造复合之微米及奈米级结构之方法及由此方法制得之电子装置及组件

摘要

本发明提供用于制造用于电子、光学及光电子装置之结构图案之处理步骤、方法及材料策略。本发明之处理方法能够制造具有所选非均一横截面几何形状之微米及奈米级电子结构，诸如T形闸极、伽玛闸极及移位之T形闸极。本发明提供用于在单一光阻剂层中图案化子像素之微影处理策略，该等策略适用于制造及整合包含具有非均一横截面几何形状之介电、导电、金属或半导体结构之装置组件。本发明之处理方法与知微米制造及奈米制造平台互补，且可有效地整合于现有光微影、蚀刻及薄膜沈积图案化策略、系统及基础架构中。