没有孔隙之接触插塞

摘要

本发明揭示一种形成一接触插塞之半导体器件制程，其包含在一接触开口(24)中依序沈积一钛或钽接触层(30)、一氮化钛阻障层(40)及一钨晶种层(50)。接着藉由电镀一铜层(60)从该接触开口之一底部表面填满该接触孔(24)以便在该接触开口(24)中不会形成孔隙。采用一CMP程序移除任何额外金属以形成接触插塞(70)，其中该CMP程序亦可用以使该等接触/晶种/阻障层(30、40、50)之一或多个变薄或将其移除。