| 摘要 |
一种碳化矽萧基二极体之制作方法被揭露，利用此一制程仅需两道光罩，方法包含下列步骤：提供一n#sP!+#eP!碳化矽基底具有一n#sP!-#eP!碳化矽漂移层形成于n#sP!+#eP!碳化矽基底之上；形成一矽层于n#sP!-#eP!碳化矽漂移层之上；执行一离子布植，将导电杂质植入矽层；定义出一主动区使n#sP!-#eP!碳化矽漂移层暴露出来；执行一热氧化，以产生一厚的氧化矽层、一薄的碳化矽氧化层及一护环，其中，搀杂矽层为护环之扩散杂质源；以氢氟酸(HF)或缓冲氧化层蚀刻溶液(BOE)浸泡蚀刻薄的碳化矽氧化层直至露出n#sP!-#eP!碳化矽漂移层；形成一顶部金属层于厚氧化矽层与裸露的n#sP!-#eP!碳化矽漂移层之上，定义出一阳极电极；将基板背面做一研磨处理直至n#sP!+#eP!碳化矽基底露出；以及形成一背部金属层于基板背面，以做为阴极。 |
