| 摘要 |
本发明揭示一种半导体制造方法，其中藉由由离子化分子形成之离子束的植入完成掺杂，更特定言之，揭示一种采用及不采用非掺杂物簇离子(例如一碳簇离子)之一共同植入将分子及簇掺杂物离子植入于一基板中的方法，其中将该掺杂物离子植入于藉由该共同植入建立之非晶系层，以便减少结晶结构内之缺陷，从而减小泄漏电流并改善半导体接面之效能。使用A#sB!n#eB!H#sB!x#eB!#sP!+#eP!及A#sB!n#eB!R#sB!z#eB!H#sB!x#eB!#sP!+#eP!形式之掺杂物离子化合物，以便最小化因离子植入造成之晶体缺陷。该等化合物包括碳簇与单体或簇掺杂物之植入的共同植入，或者仅包括植入簇掺杂物。特定言之，本文所述的本发明由植入半导体晶圆之一方法组成，其采用碳簇植入半导体晶圆，其后接着硼、磷、或砷之植入，或者接着硼、磷、或砷之掺杂物簇的植入。该等分子簇离子具有化学式A#sB!n#eB!H#sB!x#eB!#sP!+#eP!或A#sB!n#eB!R#sB!z#eB!H#sB!x#eB!#sP!+#eP!，其中A指定掺杂物或碳原子，n及x系整数且n大于或等于4，以及x大于或等于0，R系一分子，其包含植入时对该植入程序无害的原子(例如Si、Ge、F、H或C)。该等离子系从A#sB!b#eB!L#sB!z#eB!H#sB!m#eB!形式之化学化合物产生，其中该化学式L#sB!z#eB!包含R，b可系不同于n之一整数，m可系不同于x之一整数，z系大于或等于零之一整数。 |
