ＳＯＩ基板的制造方法

摘要

本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机矽烷为原料，透过CVD法而形成的氧化矽膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，透过将雷射照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。