半导体装置及制造该装置之方法

摘要

本发明系有关一种半导体装置，其具有一基材与一半导体本体，并包含一双极电晶体依序具有一集极区，一基积区，与一射极区，其中该半导体本体含有一突出的凸体包含至少该集极区和基极区的一部份，该凸台系被一隔离区包围。依据本发明，该半导体装置亦包含一场效应电晶体，其具有一源极区、一汲极区、一中介通道区、一叠置的闸极介电层，及一闸极区，该闸极区形成该场效应电晶体的最高部份，而该凸台的高度系大于该闸极区的高度。此装置能以本发明的方法来便宜又容易地制造，且该双极电晶体能具有绝佳的高频特性。