快闪记忆体及其制造方法

摘要

一种快闪记忆体，包括基底、位于基底上的堆叠结构、源极与汲极和一个源极端间隙壁，其中堆叠结构包括隧穿氧化层、位于隧穿氧化层上的浮置闸极、位于浮置闸极上的闸间介电层及位于闸间介电层上的控制闸极。而源极与汲极是分别位于浮置闸极两侧的基底中。源极端间隙壁则是位于堆叠结构接近源极的一侧壁上，以防止隧穿氧化层与闸间介电层在接近源极端的部位被再氧化而导致厚度增加。