| 摘要 |
提供一种洗净用组成物，其系在具有低介电常数之层间绝缘膜、与铜配线或铜合金配线之基板上，依序层积有机矽氧烷系薄膜、光阻层后，对该光阻层实施选择性之曝光．显影处理以形成光阻图案，接着将该光阻图案当作遮罩，对有机矽氧烷系薄膜、前述低介电常数之层间绝缘膜实施乾蚀刻处理后，用来除去有机矽氧烷系薄膜、乾蚀刻处理所产生之残液、乾蚀刻处理造成变质之变质光阻、位于前述变质光阻下层的未变质光阻层之半导体元件的洗净用组成物，其中含有过氧化氢15～20质量％、胺基聚亚甲膦酸类0.0001～0.003质量％、氢氧化钾0.02～0.5质量％与水，且pH为7.5～8.5。又，提供使用该洗净用组成物之半导体元件之制法。 |
