发明名称 |
具有增强机械强度之SiCOH界面的结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明所揭示者为一结构以及用于形成包含具有增加的机械强度之一SiCOH层之一结构的方法。该结构包含:一基板,其具有介电材料或导电材料层;位于该介电材料或导电材料层上之一氧化物层,且该氧化物层实质不具有碳;位于该氧化物层上之一渐变过渡层,该渐变过渡层在与氧化物层之介面处实质不具有碳并朝向一多孔的SiCOH层而逐渐地增加碳;以及位于该渐变过渡层上之一多孔的SiCOH(pSiCOH)层,该多孔的SiCOH层具有一遍及该层而为均匀的组成。该方法包含一制程,其中在该渐变过渡层中,在碳浓度中没有峰值而在氧浓度中没有突降。 |
申请公布号 |
TW200849385 |
申请公布日期 |
2008.12.16 |
申请号 |
TW097110434 |
申请日期 |
2008.03.24 |
申请人 |
万国商业机器公司;应用材料股份有限公司 |
发明人 |
艾德斯坦丹尼尔C;吉利尔阿佛列德;盖茨史帝芬M;雷斯坦诺达林D;莫里斯史帝文E;任康树;尼古言福诺格提伦;狄摩斯亚历山卓;瑞提史蒂芬 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/3105(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |