交点式记忆体阵列架构之整流元件

摘要

本发明提供一不对称程式化记忆体材料(例如固态电解质材料)供使用作为一整流元件，用以驱动在交点式记忆体架构中的对称或实质对称电阻式记忆体元件。固态电解质元件(SE)在关闭状态中具有非常高的电阻，并且在开启状态中具有非常低的电阻(因为在开启状态为金属丝)。这些属性使其成为接近理想的二极体。在记忆体元件之电流通过期间内(在程式化/读取/抹除期间内)，固态电解质材料亦会程式化成低电阻状态。固态电解质材料的最后状态系回复为高电阻状态，同时确定记忆体材料之最后状态为所预期的。