具有改良的通道迁移率之互补式金属氧化半导体装置之应变金属闸极结构及其形成方法

摘要

本发明揭露一种互补式金属氧化半导体(CMOS)装置之闸极结构，其包含第一闸极堆叠与第二闸极堆叠。第一闸极堆叠具有形成于基板上之第一闸极介电层，以及形成于第一闸极介电层上之第一金属层。第二闸极堆叠包含形成于基板上之第二闸极介电层，以及形成于第二闸极介电层上之第二金属层。第一金属层系以得以给予基板一拉伸应力的方式形成，而第二金属层则以得以给予基板一压缩应力的方式形成。