发明名称 奈米压印制程
摘要 一种奈米压印制程,至少包括:提供基板,其一表面覆设有压印材料层;提供模仁,其一表面设有数个凸状特征,且此表面覆设有抗沾黏膜层;形成移转材料层于凸状特征之顶面;将模仁之表面与压印材料层相对压合,以使移转材料层嵌设在压印材料层之第一部分;移除模仁并同时分开模仁与移转材料层,而使移转材料层转印至压印材料层之第一部分中,并暴露出压印材料层之第二部分;利用移转材料层作为遮罩,移除压印材料层之第二部分及基板的一部分;及移除压印材料层之第一部分与移转材料层。
申请公布号 TW200848922 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW096119831 申请日期 2007.06.01
申请人 国立成功大学 发明人 李永春;萧飞宾;邱正宇
分类号 G03F5/00(2006.01);G03F7/36(2006.01);G03F7/20(2006.01);B82B3/00(2006.01) 主分类号 G03F5/00(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 台南市东区大学路1号