发明名称 半导体记忆体装置
摘要 一种半导体记忆体装置在一高频率下稳定地执行一读取操作,藉此减少电流消耗。该半导体记忆体装置能够藉由控制一资料眼而稳定地执行该读取操作。该半导体记忆体装置包括一输出单元及一资料眼控制单元。该输出单元以同步于时脉信号方式输出资料。该资料眼控制单元控制由该输出单元输出之该等资料之资料眼。
申请公布号 TW200849249 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097101012 申请日期 2008.01.10
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李相烯
分类号 G11C11/4063(2006.01) 主分类号 G11C11/4063(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 南韩