发明名称 |
半导体制造中用来测量基底结构之具加强解析度的装置以及测量装置中开口的使用 |
摘要 |
揭露了一种在半导体制造中用来测量基底上之循环结构的具加强解析度的测量系统。照明束路径中提供具有变化之几何形状的开口结构。此开口结构在光传播特性上是不同的,且此开口结构可调节光学系统之成像光瞳中的绕射级强度分布。 |
申请公布号 |
TW200848690 |
申请公布日期 |
2008.12.16 |
申请号 |
TW097114676 |
申请日期 |
2008.04.22 |
申请人 |
比斯泰克半导体系统股份有限公司 |
发明人 |
伯塞尔 汉斯 阿图尔;斯坦伯格 沃尔特 |
分类号 |
G01B11/00(2006.01);G02B19/00(2006.01);G02B27/18(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G01B11/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
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地址 |
德国 |