交替式读取模式

摘要

储存于非挥发性记忆体单元之浮动闸极(或其他电荷储存元件)上的表观电荷之偏移可由于基于储存于邻近浮动闸极(或其他电荷储存元件)中的电荷之电场之耦合而发生。为了考虑到此耦合，对于目标记忆体单元之读取过程将向邻近记忆体单元(或其他记忆体单元)提供补偿以减小邻近记忆体单元对于目标记忆体单元造成的耦合效应。所施加之补偿系基于邻近记忆体单元之状况。为了施加正确补偿，读取过程将至少部分地将对于邻近记忆体单元之读取操作与对于目标记忆体单元之读取操作混杂。