氮化物半导体发光装置

摘要

本发明提供一种氮化物半导体发光装置，包含：n型半导体区；形成在该n型半导体区上之主动层；形成在该主动层上之p型半导体区；与该n型半导体区接触而配置之n电极；形成在该p型半导体区上之p电极；以及形成在该n型半导体区和该p型半导体区之至少其中一者中之至少一个中间层，该中间层配置在该n电极之上，其中该中间层由至少沉积有三层之多层结构所形成，该至少三层彼此之间具有不同的带隙，其中该多层结构包含AlGaN 层/GaN层/InGaN层堆叠和InGaN层/GaN层/AlGaN层堆叠之其中一种。