非挥发性记忆胞及其制造方法

摘要

一种超富含矽氧化矽非挥发性记忆胞，包括位于基底上的闸极导电层、位于闸极导电层两侧之基底中的源极/汲极区、位于闸极导电层与基底之间的穿隧氧化层、位于闸极导电层与穿隧氧化层之间做为电荷捕捉层的超富含矽氧化矽层以及位于闸极导电层与超富含矽氧化矽层之间的上介电层。