半导体装置

摘要

本发明之半导体装置系包含：绝缘膜，其包含相对介电常数小于SiO#sB!2#eB!之低介电常数材料；布线沟，其形成于前述绝缘膜；第1阻挡膜，其形成于前述布线沟之至少侧面上，且包含SiO#sB!2#eB!或SiCO；Cu布线，其系以埋设于前述布线沟之Cu为主成分；及第2阻挡膜，其包覆前述Cu布线之与前述布线沟之对向面，且含有含Si、O及特定金属元素之化合物。