可提升ＮＭＯＳ元件区电子迁移率之互补式金氧半电晶体制法

摘要

本发明系提供一种可提升NMOS元件区电子迁移率之互补式金氧半电晶体(CMOS)制法，系先提供一半导体基底，并于该半导体基底表面形成一罩幕层，再移除部分罩幕层及与其对应之预定厚度半导体基底，继而于半导体基底被移除之区域形成一矽锗层，复移除剩余之罩幕层，再于该矽锗层与半导体基底表面形成一薄膜层，最后，以浅沟渠隔离技术于该矽锗层与半导体基底之间形成一沟渠隔离区，而于该沟渠隔离区二侧分别定义一Ｐ型金氧半电晶体(PMOS)元件区与一Ｎ型金氧半电晶体(NMOS)元件区，使得该NMOS矽锗层之表面矽薄膜层具有提升电子迁移率(mobility)拉伸应变。