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发明名称
原子层沉积装置及其沉积方法
摘要
一种原子层沉积装置及其沉积方法,原子层沉积装置包含复数个次反应室、一输送装置及复数个晶圆载台。次反应室系配置于一输送路径上,输送装置沿输送路径输送复数个晶圆载台,以使每一晶圆载台依序与各次反应室相对配合形成一密闭之反应环境。其中,各次反应室中分别维持一合适反应之化学气氛状态,藉由使每一欲沉积之晶圆依序通过各次反应室中相搭配之不同气氛来完成不同步骤之原子层沉积制程。
申请公布号
TW200849339
申请公布日期
2008.12.16
申请号
TW096119827
申请日期
2007.06.01
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
李名言;吴孝哲;蔡文立
分类号
H01L21/205(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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