发明名称 矽晶圆的去角取面装置与矽晶圆的制造方法以及经蚀刻矽晶圆
摘要 本发明是提供一种矽晶圆的去角取面装置与制造方法以及经蚀刻矽晶圆,该矽晶圆的去角取面装置是使用去角取面研磨石来将矽晶圆的外周部去角取面之矽晶圆的去角取面装置,至少具备:保持器,其在保持矽晶圆之同时,使矽晶圆旋转;去角取面研磨石,其将保持于该保持器之矽晶圆的外周部去角取面;及控制装置,是用以藉由数值控制来控制上述矽晶圆的外周部与上述去角取面研磨石的相对位置,来控制去角取面形状;该控制装置,是按照在上述保持器所保持的矽晶圆的圆周方向的位置,来变更控制在去角取面时之上述矽晶圆的外周部与去角取面研磨石的相对位置。藉此,能够提供一种可控制蚀刻制程后之去角取面部的剖面形状尺寸的偏差之矽晶圆的去角取面装置与制造方法以及经蚀刻矽晶圆。
申请公布号 TW200849363 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097102579 申请日期 2008.01.23
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 加藤忠弘
分类号 H01L21/304(2006.01);B24B9/00(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 日本