贴合有ＩＩＩ－Ｖ族氮化物半导体层之基板及半导体装置

摘要

本发明提供一种可制造高特性半导体装置的贴合有III-V族氮化物半导体层之基板、以及包含贴合有III-V族氮化物半导体层之基板之半导体装置。本发明之贴合有III-V族氮化物半导体层之基板，其特征在于，其系由III-V族氮化物半导体层与底层基板贴合而成，III-V族氮化物半导体层之热膨胀系数与底层基板之热膨胀系数之差为4.5×10#sP!-6#eP! K#sP!-1#eP!以下，底层基板之导热率为50W．m#sP!-1#eP!．K#sP!-1#eP!以上。