发明名称 提供不同临界电压之电晶体及其制造方法
摘要 一种电晶体,其系包含有一个具有一个第一部分和一个第二部分之通道区域。该第二部分之长度,系短于该第一部分之长度。该第二部分,系具有一个高于该第一部分之临界电压。该第一部分之较低临界电压,系考虑到加增之ON电流。纵使该ON电流得到增加,该第二部分之较高临界电压,可维持或降低该电晶体有关之相对低的ON电流。
申请公布号 TW200849598 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097115673 申请日期 2008.04.29
申请人 DSM解析公司 发明人 闵森其
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国