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发明名称
提供不同临界电压之电晶体及其制造方法
摘要
一种电晶体,其系包含有一个具有一个第一部分和一个第二部分之通道区域。该第二部分之长度,系短于该第一部分之长度。该第二部分,系具有一个高于该第一部分之临界电压。该第一部分之较低临界电压,系考虑到加增之ON电流。纵使该ON电流得到增加,该第二部分之较高临界电压,可维持或降低该电晶体有关之相对低的ON电流。
申请公布号
TW200849598
申请公布日期
2008.12.16
申请号
TW097115673
申请日期
2008.04.29
申请人
DSM解析公司
发明人
闵森其
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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