利用超临界溶剂在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法

摘要

一种用以在半导体基板上形成金属膜的组成物及方法。所揭示方法之一包含：加热该半导体基板以获得一经加热的半导体基板；暴露该经加热的半导体基板至包含至少一金属前驱物的一组成物，该金属前驱物包含至少一配位子、一过量的中性不稳定配位子、一超临界溶剂、以及可选择地B、C、N、Si、P与其混合物其中至少一者的来源；在该经加热的半导体基板处或接近该经加热的半导体基板处，暴露该组成物至一还原剂及/或热能；分离该至少一配位子与该金属前驱物；及形成该金属膜，但令金属氧化物的形成极小化。