发明名称 较高功率之晶片于堆叠外部之晶片堆叠
摘要 部分实施例中,一系统包括一电路板、一第一晶片、及一堆积在第一晶片上之第二晶片。第一晶片耦合于电路板与第二晶片之间,而第一晶片包括电路以将第一晶片接收的命令重覆至第二晶片。亦描述其他实施例。
申请公布号 TW200849516 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW096121769 申请日期 2007.06.15
申请人 英特尔公司 发明人 赛尼 曼尼斯;梅塔 迪帕
分类号 H01L23/367(2006.01);H01L25/04(2006.01) 主分类号 H01L23/367(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国