发明名称 ZnO系半导体元件
摘要 本案之课题系为解决知之课题而首先发明者,其目的为提供一种为使ZnO系半导体与有机物用于主动的角色,具有与知完全相异之新颖功能的ZnO系半导体元件。在ZnO系半导体1上形成有机物电极2,在有机物电极2之上形成Au膜3。在ZnO系半导体1之内面系与有机物电极2对向之方式,形成Ti膜4与Au膜5之多层金属膜所构成之电极。在有机物电极2与ZnO系半导体1之接合界面,成为pn接合般之状态,在该等间发生整流作用。
申请公布号 TW200849668 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097104461 申请日期 2008.02.04
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 中原健;汤地洋行;川崎雅司;大友明;塚崎敦;福村知昭;中野匡规
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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