发明名称 |
形成宽加热器沟渠,以及形成记忆体单元以接合加热器之方法 |
摘要 |
本发明的实施例提供了一种方法,该方法包括:提供包括多个单元的晶圆,每个单元包括至少一个射极;以及对所述晶圆进行微影蚀刻。该微影蚀刻包括在所述射极的相邻位置形成加热器沟渠,每个加热器沟渠的宽度延伸至两个单元各自的至少一部分。本发明的实施例还提供了一种方法,该方法包括提供包括多个单元的晶圆,每个单元包括至少一个射极。该方法还包括:沿晶圆的字线方向在单元上进行微影蚀刻以形成加热器元件预配置;沿晶圆的位元线方向在加热器元件预配置上进行微影蚀刻以在每个射极的相邻位置形成加热器预元件;以及字线方向在加热器预元件的一部分上进行微影蚀刻以在每个射极的相邻位置形成加热器元件。本发明还描述了其他实施例。 |
申请公布号 |
TW200849579 |
申请公布日期 |
2008.12.16 |
申请号 |
TW097112165 |
申请日期 |
2008.04.03 |
申请人 |
迈威尔世界贸易有限公司 |
发明人 |
佩达斯 史达佳;吴宗泽;韦建忠;朗席 张;温斯顿 李;彼得 李 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01);H01L47/00(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪尧顺 |
主权项 |
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地址 |
巴贝多 |