半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括：元件隔离区域，其系在被埋入一半导体基板中之一状态下形成，使得该半导体基板之一元件形成区域插置在该等元件隔离区域之间；一闸电极，其形成于该元件形成区域之上，其中一闸极绝缘膜插置于该闸电极与该元件形成区域之间，该闸电极经形成以越过该元件形成区域；及源极-汲极区域，其形成于该闸电极两侧上之该元件形成区域中，其中形成一由该闸电极下方之该元件形成区域制成之通道区域，以便自该等元件隔离区域突出，且该等源极-汲极区域系形成至一比该等元件隔离区域之表面更深的位置。