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发明名称
于半导体元件形成细致图案的方法
摘要
一种于半导体元件形成细致图案的方法,其包含在具有底层之半导体基材上面形成包括第一个、第二个、和第三个光罩图案之沈积图案、用第三个光罩图案作为蚀刻阻障光罩将第二个光罩图案侧面蚀刻、移除第三个光罩图案、形成一曝光第二个光罩图案之上部的旋涂碳层、用旋涂碳层作为蚀刻阻障光罩进行蚀刻方法以曝光底层、及移除旋涂碳层。
申请公布号
TW200849328
申请公布日期
2008.12.16
申请号
TW096147906
申请日期
2007.12.14
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
李基领;潘槿道;卜圭
分类号
H01L21/027(2006.01)
主分类号
H01L21/027(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
南韩
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