发明名称 |
半导体材料之再生方法及再生装置、太阳电池之制造方法及制造装置 |
摘要 |
本发明提供一种能够以低成本予以实现之半导体材料的再生方法。本发明系将半导体材料予以再生之方法,此方法系具备:将使用后的矽屑(半导体矽材料)予以回收之步骤S11;从回收的矽屑将磷予以去除而进行除气之步骤S12;使矽屑所包含的硼成为非活化之步骤S13;及将杂质予以去除或成为非活化后之矽屑作为太阳电池等而予以再利用之步骤S14。藉由本发明,能以更低成本将矽屑予以再生,而制造太阳电池等。 |
申请公布号 |
TW200849322 |
申请公布日期 |
2008.12.16 |
申请号 |
TW096121105 |
申请日期 |
2007.06.12 |
申请人 |
三洋电机股份有限公司 |
发明人 |
池松峰男;金田和博;高冈大造 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L31/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |