发明名称 PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANTS HYBRIDES.
摘要 L'invention concerne un procédé de réalisation d'un substrat hybride, comportant un substrat support (40), une couche continue d'isolant enterrée (42) et, sur cette couche, une couche hybride (26') comportant des zones alternées d'un premier matériau (26) et d'au moins un deuxième matériau (32), ces deux matériaux étant différents par leur nature et/ou leurs caractéristiques cristallographiques, ce procédé comportant :- la réalisation d'une couche hybride (26'), comportant des zones alternées des premier et deuxième matériaux, sur un substrat homogène (22),- l'assemblage de cette couche hybride, de la couche continue d'isolant (42) et du substrat support (40),- l'élimination d'une partie au moins du substrat homogène (40), avant ou après l'étape d'assemblage.
申请公布号 FR2917235(A1) 申请公布日期 2008.12.12
申请号 FR20070055531 申请日期 2007.06.06
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES SOCIETE ANONYME;COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 SIGNAMARCHEIX THOMAS;FOURNEL FRANK;MORICEAU HUBERT
分类号 H01L21/762;H01L21/8258 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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