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<p>Une couche photoabsorbante (12) en InGaAs du type N et une couche (13) en InP du type N (couche de semiconducteur d'un premier type de conductivité) qui est une couche servant de fenêtre et une couche de multiplication sont stratifiées les unes au-dessus des autres sur un substrat (11) en InP du type N. Par diffusion sélective d'impuretés et implantation d'ions, une région (14) en InP du type P (région en semiconducteur d'un second type de conductivité) est formée sur une partie de la surface supérieure de la couche (13) en InP du type N. Les surfaces supérieures de la couche (13) en InP du type N et de la région (14) en InP du type P sont couvertes par un film (15) de protection de surfaces. Une électrode de cathode (16) (première électrode) est connectée à la face inférieure du substrat (11) en InP du type N. Une électrode d'anode (17) de forme annulaire (seconde électrode) est connectée à la surface supérieure de la région (14) en InP du type P. Une électrode basse tension (19) est agencée de manière à entourer l'électrode d'anode (17). Une tension inférieure à celle de l'électrode de cathode (16) est appliquée à cette électrode basse tension (19).</p> |
