Herstellungsverfahren von einem randlosen Kontakt auf Bitleitungskontaktstutzen mit einer Ätzstopschicht,申请号DE20016032152T-传众专利搜索

发明名称	Herstellungsverfahren von einem randlosen Kontakt auf Bitleitungskontaktstutzen mit einer Ätzstopschicht
摘要
申请公布号	DE60132152(T2)	申请公布日期	2008.12.11
申请号	DE20016032152T	申请日期	2001.06.22
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.	发明人	JEONG, HONG-SIK;YANG, WON-SUK;KI, KI-NAM
分类号	H01L21/302;H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/60;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
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