发明名称 |
Piezoelektrischer dünner Film, piezoelektrisches Material und Herstellungsverfahren für piezoelektrischen dünnen Film und piezoelektrisches Material, und piezoelektrischer Resonator, Schalterelement und physikalischer Fühler, die piezoelektrischen dünnen Film verwenden |
摘要 |
Der piezoelektrische Dünnfilm gemäß der vorliegenden Erfindung enthält einen Aluminiumnitrid-Dünnfilm, der Scandium enthält. Der Gehalt von Scandium in dem Aluminiumnitrid-Dünnfilm ist 0,5 Atom-% bis 50 Atom-% in der Annahme, dass die Gesamtmenge der Anzahl an Scandiumatomen und der Anzahl an Aluminiumatomen 100 Atom-% beträgt. Gemäß dieser Anordnung kann der erfindungsgemäße piezoelektrische Dünnfilm die piezoelektrische Empfindlichkeit verbessern, während er Eigenschaften von elastischer Wellenverbreitungsgeschwindigkeit, Q-Wert und Frequenz-Temperatur-Koeffizient, die der Aluminiumnitrid-Dünnfilm hat, beibehält.
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申请公布号 |
DE102008025691(A1) |
申请公布日期 |
2008.12.11 |
申请号 |
DE20081025691 |
申请日期 |
2008.05.29 |
申请人 |
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY;DENSO CORP. |
发明人 |
AKIYAMA, MORITO;KAMOHARA, TOSHIHIRO;UENO, NAOHIRO;KANO, KAZUHIKO;TESHIGAHARA, AKIHIKO;TAKEUCHI, YUKIHIRO;KAWAHARA, NOBUAKI |
分类号 |
H01L41/18;B81B7/02;B81C1/00;H01L41/09;H03H9/15;H03H9/25;H03H9/54 |
主分类号 |
H01L41/18 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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