发明名称 Piezoelektrischer dünner Film, piezoelektrisches Material und Herstellungsverfahren für piezoelektrischen dünnen Film und piezoelektrisches Material, und piezoelektrischer Resonator, Schalterelement und physikalischer Fühler, die piezoelektrischen dünnen Film verwenden
摘要 Der piezoelektrische Dünnfilm gemäß der vorliegenden Erfindung enthält einen Aluminiumnitrid-Dünnfilm, der Scandium enthält. Der Gehalt von Scandium in dem Aluminiumnitrid-Dünnfilm ist 0,5 Atom-% bis 50 Atom-% in der Annahme, dass die Gesamtmenge der Anzahl an Scandiumatomen und der Anzahl an Aluminiumatomen 100 Atom-% beträgt. Gemäß dieser Anordnung kann der erfindungsgemäße piezoelektrische Dünnfilm die piezoelektrische Empfindlichkeit verbessern, während er Eigenschaften von elastischer Wellenverbreitungsgeschwindigkeit, Q-Wert und Frequenz-Temperatur-Koeffizient, die der Aluminiumnitrid-Dünnfilm hat, beibehält.
申请公布号 DE102008025691(A1) 申请公布日期 2008.12.11
申请号 DE20081025691 申请日期 2008.05.29
申请人 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY;DENSO CORP. 发明人 AKIYAMA, MORITO;KAMOHARA, TOSHIHIRO;UENO, NAOHIRO;KANO, KAZUHIKO;TESHIGAHARA, AKIHIKO;TAKEUCHI, YUKIHIRO;KAWAHARA, NOBUAKI
分类号 H01L41/18;B81B7/02;B81C1/00;H01L41/09;H03H9/15;H03H9/25;H03H9/54 主分类号 H01L41/18
代理机构 代理人
主权项
地址