| 摘要 |
Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt,rdnete p-n-Säulenschicht (30); und eine auf der p-n-Säulenschicht angeordnete Epitaxialschicht (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist. Die p-n-Säulenschicht (30) weist Säulen (7n, 7ns) eines ersten Leitfähigkeitstyps und Säulen (7p, 7ps) des zweiten Leitfähigkeitstyps auf, die abwechselnd angeordnet sind. Jede Säule weist eine sich verjüngende Form auf. Ein Abschnitt der Säule des ersten Leitfähigkeitstyps, der um das Substrat herum angeordnet ist, weist eine geringere Störstellenkonzentren Leitfähigkeitstyps auf, der um die Epitaxialschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps herum angeordnet ist. Ein Abschnitt der Säule des zweiten Leitfähigkeitstyps, der um das Substrat herum angeordnet ist, weist eine höhere Störstellenkonzentration als ein anderer Abschnitt der Säule des zweiten Leitfähigkeitstyps auf, der um die Epitaxialschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps herum angeordnet ist.
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