发明名称 |
重叠标记及其应用 |
摘要 |
本发明是关于一种重叠标记,用以检查由两次曝光步骤所定义的下晶圆层与用以定义上晶圆层的光刻制作工艺间的对准度,包括下晶圆层的一部分及一光刻胶图案。前者包括二第一X向、二第一Y向、二第二X向及二第二Y向条状图形。第一X向与第一Y向条状图形由一曝光步骤所定义,且定义出第一矩形。第二X向与第二Y向条状图形由另一曝光步骤所定义,且定义出第二矩形,其X向宽度大于第一矩形但Y向宽度小于第一矩形。前述光刻胶图案位于下晶圆层的所述的部分上方而被前述条状图形围绕,且是由前述光刻制作工艺形成的。 |
申请公布号 |
CN101320206A |
申请公布日期 |
2008.12.10 |
申请号 |
CN200710108966.7 |
申请日期 |
2007.06.08 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
杨金成 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01);G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
1.一种重叠标记,用以检查由第一与第二曝光步骤所定义的一下晶圆层与用以定义一上晶圆层的光刻制作工艺之间的对准度,包括:所述的下晶圆层的一部分,包括二第一X向条状图形、二第一Y向条状图形、二第二X向条状图形以及二第二Y向条状图形,其中所述的二第一X向与所述的二第一Y向条状图形是由所述的第一曝光步骤所定义的,且定义出一第一矩形,并且所述的二第二X向与所述的二第二Y向条状图形是由所述的第二曝光步骤所定义的,且定义出一第二矩形,其X向尺寸D2X大于所述的第一矩形的X向尺寸D1X,但Y向尺寸D2Y小于所述的第一矩形的Y向尺寸D1Y;以及一光刻胶图案,位于所述的下晶圆层的所述的部分的上方而被所述的这些条状图形所围绕,且是由所述的光刻制作工艺所形成的,其中当所述的下晶圆层与所述的光刻制作工艺完全对准时,所述的二第一X向条状图形的中线与所述的二第一Y向条状图形的中线的交点、所述的二第二X向条状图形的中线与所述的二第二Y向条状图形的中线的交点,以及所述的光刻胶图案的中心点三者重合。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |