| 发明名称 | 沉积光电元件用的微晶硅层的方法与设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有改良沉积速率与良好膜层品质的微晶硅层沉积方法。此外，也提供一种具有此微晶硅层的光电(PV)电池。在一实施方式中，此方法包含以每分钟＞20nm的沉积速率沉积一微晶硅层在一基板上，其中该微晶硅层的结晶体积在约20％到80％间。 | ||
| 申请公布号 | CN101322251A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200780000417.6 | 申请日期 | 2007.11.23 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | S·Y·崔;T·竹原;J·M·怀特;Y·E·蔡 |
| 分类号 | H01L31/00(2006.01) | 主分类号 | H01L31/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种沉积一微晶硅层的方法，包括：提供表面积超过1平方公尺的基板到一处理腔室中；将包括有一硅烷系气体与氢气在内的一气体混合物流入至该处理腔室中；维持一由该气体混合物所形成的等离子体在该处理腔室中；以每分钟超过20nm的沉积速率来沉积一微晶硅层在该基板上，其中该微晶硅层的结晶体积在约20％到80％间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||