发明名称 |
半导体集成电路装置及使用它的电子卡 |
摘要 |
提供一种半导体集成电路装置,即使集成电路处于没有连接到接地点和电源的状态,也可保护其集成电路不被损坏。该半导体集成电路装置包括:第1导电类型的第1半导体区域(PSUB);具有形成在第1半导体区域(PSUB)中的第2导电类型的源/漏区(D)和在源/漏区间的沟道区上通过栅绝缘膜形成的栅电极(G)的晶体管(N1);电连接到晶体管的漏区(D)的输出端子(PAD);邻接晶体管(N1)的源/漏区(D)且在第1半导体区域(PSUB)中形成的第2导电类型的第2半导体区域(DN),所述第2半导体区域连接到晶体管(N1)的栅电极(G)。 |
申请公布号 |
CN100442514C |
申请公布日期 |
2008.12.10 |
申请号 |
CN200610093583.2 |
申请日期 |
2003.11.28 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
泷泽诚 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01);G06K19/07(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体集成电路装置,包括:第1导电类型的半导体区域;形成在所述第1导电类型的半导体区域中,具有连接到输出端子的第2导电类型的源或漏区的第1绝缘栅型场效应晶体管;形成在所述第1导电类型的半导体区域中,具有连接到所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极的第2导电类型的源或漏区,驱动所述第1绝缘栅型场效应晶体管的第2绝缘栅型场效应晶体管;以及将所述第1导电类型的半导体区域作为阳极和阴极中的一方,形成在所述第1导电类型的半导体区域中,并具有与所述第1绝缘栅型场效应晶体管的栅极相连接的阳极和阴极中的另一方的二极管;其特征在于,从所述第1绝缘栅型场效应晶体管的所述源或漏区至所述阳极和阴极中的另一方的距离比从所述第1绝缘栅型场效应晶体管的所述源或漏区至所述第2绝缘栅型场效应晶体管的所述源或漏区的距离短。 |
地址 |
日本东京都 |