| 发明名称 | 低温条件制备高定向生长的纳米片状Bi<SUB>2</SUB>Fe<SUB>4</SUB>O<SUB>9</SUB> | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在低温条件下合成高度定向的纳米片状Bi<SUB>2</SUB>Fe<SUB>4</SUB>O<SUB>9</SUB>晶体的方法，该方法主要是采用水热制备方法，步骤是以等物质量的Bi(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>·5H<SUB>2</SUB>O和Fe(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>·9H<SUB>2</SUB>O溶于稀硝酸中，然后用NaOH水溶液滴定至沉淀完全，过滤并水洗至溶液呈中性；特点是将得到的沉淀溶于浓度为8－20摩尔/升的NaOH水溶液中，并加入H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>，加入量为2毫升H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>/40毫升溶液，放入反应釜并在160－200℃条件下反应12－72小时，产物用去离子水和酒精洗涤后，放入烘箱中烘干，得到最后产物即为定向生长的纳米片状Bi<SUB>2</SUB>Fe<SUB>4</SUB>O<SUB>9</SUB>。 | ||
| 申请公布号 | CN101319381A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200810048058.8 | 申请日期 | 2008.06.17 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 孙华君;陈文;周静;李波;徐庆;朱泉峣;张成勇;沈杰 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01);C30B29/64(2006.01);C30B7/10(2006.01);C04B35/26(2006.01) | 主分类号 | C30B29/22(2006.01) |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 张安国 |
| 主权项 | 1、一种水热法合成定向的纳米片状Bi2Fe4O9晶体的方法，其特征是，以Bi(NO3)3·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O作为反应原料，以NaOH作为水热反应矿化剂，在160-200℃低温条件下，水热反应制备定向生长的纳米片状Bi2Fe4O9。 | ||
| 地址 | 430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||