集成电路

摘要

一种配置有包括集成电路的电子元件的电子设备，具有输入和输出，并包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括具有第一掺杂浓度(n1)的第一掺杂类型的掺杂剂、并具有至少一个有源元件；至少一个电容器；和至少一个电阻器；提供在半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层在某些区域中中断，其中所述电容器被限定为MOS电容器；位于绝缘层上的第三电介质层，在所述第三电介质层上的一些区域中，设有具有电阻值的第二层以形成所述电阻器，所述电阻器电耦合到所述电容器的第二电极并通过第三电流源引线连接到输出；以及设置在整个电路上的保护层。

主权项

1.一种具有输入(15)和输出(18)的集成电路，包括：半导体衬底(1)，所述半导体衬底包括具有第一掺杂浓度(n1)的第一掺杂类型的掺杂剂、并具有至少一个有源元件；包括第一电极、第二电极和第一电介质层(6)的至少一个电容器；和至少一个电阻器，所述电阻器包括选自下列中的材料：β-钽、TaxNY (0＜x≤1，0＜y≤1)、Ta1-x-ySixNy(0＜x≤1，0＜y≤1)、Ta1-x-yAlxNy(0＜x≤1，0＜y≤1)、NixCry(0＜x≤1，0＜y≤1)、NixCrxAlz(0＜x≤1，0＜y≤1，0＜z≤1)、SixCrxOz(0＜x≤1，0＜y≤1，0＜z≤1)、SixCrxNz(0＜x≤1，0＜y≤1，0＜z≤1)、TixWy (0＜x≤1，0＜y≤1)、TixWyNz(0＜x≤1，0＜y≤1，0＜z≤1)、TixNy(0＜x≤1，0＜y≤1)以及CuxNiy(0＜x≤1，0＜y≤1)，所述电阻器和MOS电容器电耦合到有源元件，其特征在于：所述有源元件为用作过电压保护设备的二极管，所述二极管由具有第二掺杂浓度(n2)的第一掺杂类型的掺杂剂的第一半导体区域(2)、以及具有第三掺杂浓度的第二掺杂类型的掺杂剂的第二半导体区域(3)形成，其中所述二极管通过第一电流源引线(14)电连接到输入(15)，并且所述第二掺杂浓度(n2)低于衬底(1)的第一掺杂浓度(n1)；提供在半导体衬底(1)上的绝缘层(4)，所述绝缘层在某些区域中中断，其中所述电容器被限定为MOS电容器，所述MOS电容器的半导体衬底(1)用作第一电极，所述半导体衬底(1)通过第四电流源引线(19)接地，在所述半导体衬底(1)和第一电介质层(6)之间设置第一氧化物层(5)，所述电容器的第二电极耦合到所述第一电流源引线(14)；位于绝缘层(4)上的第三电介质层(11)，在所述第三电介质层上的一些区域中，设有具有电阻值的第二层(12)以形成所述电阻器，所述电阻器电耦合到所述电容器的第二电极并通过第三电流源引线(17)连接到输出(18)；以及设置在整个电路上的保护层(13)。