| 发明名称 |
A method and a circuit structure for modifying the threshold voltages of non-volatile memory cells |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1178492(B1) |
申请公布日期 |
2008.12.10 |
| 申请号 |
EP20000830504 |
申请日期 |
2000.07.18 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
VISCONTE, ANGELO |
| 分类号 |
G11C16/02;G11C16/34;G11C16/06;G11C16/10 |
主分类号 |
G11C16/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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