发明名称 一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法
摘要 本发明提供了一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法,属纳米陶瓷材料领域。选择液氨作为反应介质,以卤化硅,包括氯化硅、溴化硅、碘化硅为原料,碱金属钾或钠为还原剂,二者分别溶解于液氨,在-60℃~20℃范围发生液相还原反应,产物经过洗涤提纯、热处理过程,制备出稳定的纳米氮化硅粉体。本发明目的在于采用液氨法低温合成纳米氮化硅陶瓷粉体,简化工艺,提高性能,降低成本,利用碱金属溶解于液氨形成液相强还原剂的特性,在低温条件下制备出比表面积大,纯度高,粒径均匀的纳米氮化硅陶瓷粉体。该粉体不需要任何烧结助剂就能够在较低温度下、短时间内制备获得致密的氮化硅陶瓷体。
申请公布号 CN101318637A 申请公布日期 2008.12.10
申请号 CN200810116673.8 申请日期 2008.07.15
申请人 北京科技大学 发明人 朱鸿民;杨梅;吕明利;邱海龙
分类号 C01B21/068(2006.01);C04B35/584(2006.01) 主分类号 C01B21/068(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:(1)以卤化硅,包括氯化硅、溴化硅、碘化硅为原料,碱金属钾或碱金属钠为还原剂,按照反应的摩尔配比称量,还原剂过量0~10%,在液氨介质中进行还原反应,还原温度在-60℃~20℃范围,反应方程为:3SiCl4+12M+4NH3(l)=Si3N4+12MCl+6H2(M=Na、K);(2)通过液相提纯,分离副产物,得到非晶态纳米氮化硅粉末;(3)经过热处理,转化为稳定的晶态纳米氮化硅,即Si3N4粉体。
地址 100083北京市海淀区学院路30号
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